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- 产品参数
- 图文介绍
- 企业简介
- 企业地址
产品参数
品牌
S
型号
STW11NK100Z
应用范围
功率
种类
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
MOSFET N 通道
导电方式
增强型
图文介绍
| 文档 | STW11NK100Z View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STW11NK100Z View All Specifications |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1000V (1kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8.3A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 1.38 Ohm @ 4.15A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 162nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3500pF @ 25V |
| 功率 - | 230W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 1000 V |
| 连续漏极电流 | 8.3 A |
| RDS -于 | 1380@10V mOhm |
| 门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 27 ns |
| 典型上升时间 | 18 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 典型下降时间 | 55 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 5.15(Max) |
| PCB | 3 |
| 功率耗散 | 230000 |
| 漏源电压 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源电阻 | 1380@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 15.75(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 20.15(Max) |
| 连续漏极电流 | 8.3 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 230W |
| 匹配代码 | STW11NK100Z |
| R（ THJC ） | 0.54K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 30 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 小起订量 | 600 |
| Q（克） | 162nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 8.3A |
| V（ DS ） | 1000V |
| 技术 | SuperMESH |
| 的RDS（on ） at10V | 1.38Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.3A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 1.38 Ohm @ 4.15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 230W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3500pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-3255-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 162nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| 身高 | 20.15mm |
| 长度 | 15.75mm |
| 漏源电阻 | 1.38 Ω |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 功率耗散 | 230 W |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-247 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 113 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3500 pF V @ 25 |
| 宽度 | 5.15mm |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 8.3 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 1.38 Ohms |
| 功率耗散 | 230 W |
| 封装/外壳 | TO-247 |
| 栅极电荷Qg | 113 nC |
| 上升时间 | 18 ns |
| 漏源击穿电压 | 1000 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 55 ns |
| 漏极电流（ 值） | 8.3 A |
| 频率（ ） | Not Required MHz |
| 栅源电压（ 值） | �30 V |
| 输出功率（ ） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 1.38 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 1000 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :8.3A |
| Drain Source Voltage Vds | :1kV |
| On Resistance Rds(on) | :1.38ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3.75V |
| 功耗 | :230W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :8.3A |
| On State resistance @ Vgs = 10V | :1.38ohm |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds Typ | :1kV |
| Voltage Vgs Max | :3.75V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.19 |
企业简介
企业法人：
钟少华
企业类型：
有限责任公司
成立日期：
2008-03-31
经营状态：
存续
工商注册号：
440301103257341
社会统一信用代码：
9144030067298257XE
组织机构代码：
67298257X
注册资金：
500.000000万人民币
经营范围：
一般经营项目：电子产品的购销及其他国内贸易（以上均不含专营、专控、专卖商品及限制项目）。许可经营项目：无。
企业地址
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18988776985
