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供应 磷化铟InP单晶片、磷化铟衬底、砷化铟衬底、锑化铟衬底 半导体材料厂家 金源供应回收单晶材料
韶关市金源金属材料有限公司专业有色金属、稀有金属、小金属、特色合金、贵金属、等供应商。为解决小量够买金属的难题，特推出在线 交易模式。方便各地买家。
名称: 磷化铟InP单晶片
规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。
磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极 移速度高、耐辐射性 好、导热好的优点。
适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通
信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
InP单晶参数
品种 | 类型 | 浓度（cm-3） | 迁移率(cm2/V.S) | 电阻率(Ω.cm) | 位错密度(cm-2) |
Un-InP | ------ | <3*1016 | >1700 | ---- | <1000 |
S-InP | N | 5*1017 | >1700 | ----- | <1000 |
Zn-InP | P | 0.6*1018 | >50 | ------ | <1000 |
Fe-InP | N | 107~108 | >1700 | >107 | <1000 |
砷化铟（InAs）III-V族化合物半导体材料，闪锌矿型的晶体结构，能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
名称：InAs wafer （砷化铟）单晶片
规格：2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。
InAs wafer 单晶参数
品种 | 类型 | 浓度 （cm-3） | 迁移率 (cm2/V.s) | 位错密度 (cm-2) |
Un-InAs
| N | 3*1016 | 2*104 | < 1000 |
S-InAs
| N | (3-80) *1017 | ---- | < 1000 |
Zn-InAs
| P | (3-80) *1017 | 60-300 | < 1000 |
2" 和3" InSb wafer 锑化铟单晶片。
规格 size | 2 inch | 3 inch | |
晶向 Direction | （100）±0.3 | ||
直径Diameter（mm） | 50.8±0.4 | 76.2±0.3 | |
厚度Thickness（μm） | 500±25 | 650±25 | |
主定位边长度First Flat（mm） | 16.0±1.0 | 22.0±1.0 | |
副定位边长度second Flat（mm） | 8.0±1.0 | 11.0±1.0 | |
平整度 | TTV（μm） | ＜10 | ＜10 |
TIR（μm） | ＜10 | ＜10 | |
Bow（μm） | ＜10 | ＜10 | |
Warp（μm） 囖 | ＜15 | ＜15 | |
品种 Dopant | Un-InSb | Te- InSb 麤34 42囖 |
导电类型麤 Type | N | N |
载流子浓度（cm-3） | (5～10)×1013 | (1～1000)×1014 |
阻率(Ω▪cm) | ─ | ─ |
5E04-2E05 | 2E04-1E05 | |
位错密度(cm-2) | 2"：≤200 | 2"：≤200 |
3"：≤500 | 3"：≤500 |
金源金属公司提供III-V族化合物单晶片衬底：砷化镓衬底、砷化铟衬底、磷化镓衬底、磷化铟衬底、锑化镓衬底、锑化铟衬底、锑化镓衬底。
磷化铟半导体衬底材料具有电子极限漂移速度高、耐辐射性能好、导热好的优点，主要应用于光纤通讯、光电集成电路、军用通讯、红外光学、激光与光子探测器和功率器件等半导体领域。
包装：开盒即用， 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式
顺丰快递送达。
掺杂：掺硫/S
尺寸：2英寸/50.0±0.3mm
厚度：350±25μm
位错密度：＜500/㎝2
晶片单面抛光（如需双面抛光需另外加工）
供应 磷化铟 磷化铟单晶 单晶片 衬底 InP 2-6寸磷化铟半导体材料厂家
金源金属公司提供III-V族化合物单晶片衬底：砷化镓衬底、砷化铟衬底、磷化镓衬底、磷化铟衬底、锑化镓衬底、锑化铟衬底、锑化镓衬底。供应、回收、加工服务。
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