PECVD    等离子体增强化学沉积系统                 1200℃

       该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，

全面控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件，以及

友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,

SiONx、a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态

或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上 保护层膜和特定温度

下无损伤钝化膜的沉积。

应用领域

Ø 等离子诱导表面改性；                 

Ø 等离子清洗；;

Ø 等离子聚合;

Ø 表面沉积SiO、SiN、非晶硅、微晶硅、

   纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜;

Ø 碳纳米管（CNT）的选择性生长；

主要特点

Ø 清洗镀膜一气呵成，杜 二次污染；

Ø 上开启结构，式样观察方便；

Ø 触屏人机对话整体性操作，安全可靠;

Ø 产品采用全自动控制方式，触摸屏，数字化显示。

Ø 真空系统、工作压强、电源系统及自动匹配、工

   艺气体流量、加热系统、运动系统、工艺过程、

   系统监控及数据采集等；