松木ME20P06 / ME20P06-G，P沟道mos管 60V（D-S）MOSFET

ME20P06-G一般说明

ME20P06是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗。

ME20P06-G特征

●RDS（ON）≦78mΩ@ VGS = -10V

●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-4.5V

●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

●出色的导通电阻和 直流电流能力

ME20P06-G应用领域

●笔记本中的电源管理

●DC / DC转换器

●负荷开关

●液晶显示逆变器

AOD409 P通道增强模式场效应晶体管

一般说明

AOD409使用先进的沟槽技术来提供出色的R DS（ON），低栅极电荷和低栅极电阻。 凭借DPAK封装的出色热阻，该器件非常适合大电流负载应用。 标准产品AOD409无铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AOD409L是绿色产品的订购选项。 AOD409和AOD409L在电气上是相同的。

Features

VDS  (V) = -60V

I D = -26A (V GS = -10V)

RDS(ON) < 40m

  (V GS = -10V) @ -20A

R DS(ON) < 55m (VGS = -4.5V)

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P沟道mos管 60V 松木ME20P06-G替代AOS万代AOD409G解决方案中文资料对比！

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