ME3587/ME3587-G，N-和P-沟道20V (D-S) MOSFET

ME3587/ME3587-G一般说明

ME3587 是 N 沟道和 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合 限度地减少导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路。

ME3587/ME3587-G特征

● RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=2.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦120mΩ@VGS=1.8V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦110mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=-2.5V (P-Ch)

● RDS(ON) ≦170mΩ@VGS=-1.8V (P-Ch)

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和 直流电流能力

ME3587/ME3587-G应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器 

ME3587/ME3587-G,N-hé P-gōu dào 20V (D-S) MOSFET

本文由 深圳市泰德兰电子有限公司 网编通过ME3587/ME3587-G英文规格书翻译中文整理分享，由于泰德兰电子长期代理电源ic，快充ic芯片，mos管等芯片，所以对这版块的相关技术知识进行分享，欢迎大家下方留言互动。