参数

（1）可判别锗、硅材料的电阻率范围：

锗：非本征锗～10-4Ω·cm ，硅：103～10-4Ω·cm

实验证明：在室温情况下，对于电阻率低于1000Ω·cm的N型和P型硅，本方法结果可靠。

（2）热电流测量范围：0～±1μA 分六个量程：

±3nA、±10nA、±30nA、±100nA、±300nA、±1μA

大偏转灵敏度：1×10-11A/格

（3）锗、硅单晶直径及长度：不受限制。

（4）显示方式：中刻度为零位的宽表面指指示器，指向正方向偏转被测样品为P型，指向负方向偏转被测样品为N型。

（5）探：选用SEMI MF42-1105标准中建议的不锈钢作探材料，尖为60°锥体，热笔温度自动保持在40-60℃范围内，冷笔与室温相同。

（6）电源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供电，耗电小于10W。

（7）外型尺寸：170×160×230（mm）

（8）重量：约2.5kg