ME3587一般说明

ME3587 是 N 沟道和 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 ME3587这种高密度工艺特别适用于 限度地减少导通电阻。 ME3587这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路。

ME3587特征

● RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=2.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦120mΩ@VGS=1.8V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦110mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=-2.5V (P-Ch)

● RDS(ON) ≦170mΩ@VGS=-1.8V (P-Ch)

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和 直流电流能力

ME3587应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

松木ME3587-G（替代）新洁能NCE6602，N和P沟道增强型功率MOS管方案松木ME3587-G（替代）新洁能NCE6602，N和P沟道增强型功率MOS管方案

NCE6602描述

NCE6602 采用先进的沟槽技术提供出色的 RDS(ON)，低栅极电荷。 该设备适用于用作电池保护或其他开关应用。

NCE6602一般特征

● N 通道

● VDS = 30V,ID = 3.5A

RDS(ON) <58mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=4.5V

● P 通道

VDS = -30V,ID = -2.7A

RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=-10V

RDS(ON) < 150mΩ @ VGS=-4.5V

● 低导通电阻

● 低输入电容

● 切换速度快

● 低输入/输出泄漏

NCE6602封装

TSOT23-6L

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