ME2302 简述：

ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺特别适合 小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝 电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。

ME2302 特性:

● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V

● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=2.5V

● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=1.8V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和 直流电流能力

ME2302 应用：

●笔记本电脑的电源管理

●便携式设备

●负荷开关

●差示扫描量热仪

AO3414简介：

AO3414 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 1.8V 的栅极电压操作。 该器件适合用作负载开关或 PWM 应用

AO3414 特性:

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（ 值）：50 毫欧 @ 4.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（ 值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：436pF @ 10V

功率 - 值：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3

制造商零件编号：AO3414

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

VDS= 20V

ID= 3A (VGS= 4.5V)

RDS(ON)< 62mΩ (VGS= 4.5V)

RDS(ON)< 70mΩ  (VGS= 2.5V)

RDS(ON)< 85mΩ  (VGS= 1.8V)

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