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安森德ASDM20N60KQ (替代)NCE2060 N沟道 MOSFET中低压N-MOS方案

价格
¥面议
起订量 1个
可售 80000个
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  • 产品参数
  • 图文介绍
  • 企业简介
  • 企业地址
产品参数
品牌
安森德
型号
ASDM20N60KQ
种类
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
N沟道
导电方式
增强型
用途
CC/恒流
图文介绍

安森德ASDM20N60KQ 一般特征


低栅极电荷


增强模式


快速切换


高功率和电流处理能力


安森德ASDM20N60KQ 应用


DC-DC 初级桥


DC-DC同步整流


直流风扇


安森德ASDM20N60KQ封装


TO-252  


脉冲宽度受安全操作区限制。


基于 允许结温计算的连续电流。 电流受焊线限制。


受 TJmax 限制,IAS =20A,VDD = 15V,RG = 50Ω,起始 TJ = 25°C。


脉冲测试; 脉宽£300ms,占空比£2%。


由设计保证,不受生产测试的影响。




中低压Mosfet安森德ASDM20N60KQ被应用在锂电保护项目上,需要了解更多安森德ASDM20N60KQ代替型号,欢迎咨询泰德兰电子。转载:http://www.tdldz.com/newsData_955.html


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企业简介
联系信息:
王先生
联系电话:
13189714166
固定电话:
0755-83322522
所在区域:
广东省深圳市广东省深圳市福田区彩田南路2010号中深花园A座六层601(岗厦地铁站E出口)
进入店铺
企业法人:
王健
企业类型:
有限责任公司(法人独资)
成立日期:
2005-04-30
经营状态:
-
工商注册号:
440301103122433
社会统一信用代码:
914403007741297995
组织机构代码:
-
注册资金:
200.000000万人民币
经营范围:
一般经营项目是:电子产品的购销及其它国内商业、物资供销业(不含专营、专控、专卖商品)。,许可经营项目是:
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