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产品参数
品牌
DIDOES
型号
ZXM61P02FTA
种类
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
P沟道
导电方式
增强型
用途
DC/直流
封装外形
CHIP/小型片状
材料
GE-P-FET锗P沟道
图文介绍
| 品牌 | DIODES（美台） | 型号 | ZXM61P02FTA | 封装 | SOT-23-3 |
| 批号 | 20+ | FET类型 | P-Channe | 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 漏极电流(Id) | 4.3 A | 漏源导通电阻(RDS On) | 31 mOhms | 栅源电压(Vgs) | 4.5 V |
| 栅极电荷(Qg) | 15.8 nC | 反向恢复时间 | - | 耗散功率 | 1300（mW） |
| 配置类型 | Single | 工作温度范围 | - 55 C ~ +150 C | 安装类型 | 表面贴装 |
| 应用领域 | 新能源,家用电器,3C数码,汽车电子,测量仪器,智能家居,网络通信,安防设备, |
企业简介
企业法人：
王小芬
企业类型：
有限责任公司
成立日期：
2003-04-08
经营状态：
-
工商注册号：
440301103398788
社会统一信用代码：
91440300748862081L
组织机构代码：
-
注册资金：
200.000000万人民币
经营范围：
一般经营项目是：电子产品的技术开发与销售；其他国内商业、物资供销业（不含专营、专控、专卖商品及限制项目）；货物进出口。（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营），许可经营项目是：
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