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IGBT静态参数测试仪STD2002
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
测试对象：IGBT、Mosfet、Diode
测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数
标准:《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据
IGBT静态参数测试仪STD2002
IGBT测试
IGBT测试项目 | 测试条件 | 测试结果 |
栅极-发射极栅 极绝缘 | Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V | Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
截止电流 | Vces: 100-2000V,分辨力,1 V 精度:±3% ±10V | Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
阈值电压 | Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA （可根据客户需求扩展） | Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
饱和压降 | Ice: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管压降 | If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管反向电流 | Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT静态参数测试仪STD2002
MOSFET测试
MOSFET测试项目 | 测试条件 | 测试结果 |
栅极-源极绝缘 | Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V | Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
漏极-源极截止电流 | Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
栅极-源极阈值电压 | Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mA | Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
漏极-源极导通电阻 | Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR |
二极管压降 | If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管反向电流 | Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT静态参数测试仪STD2002
DIODE测试
DIODE测试项目 | 测试条件 | 测试结果 |
二极管压降 | If:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管反向电流 | Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Id:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT静态参数测试仪STD2002
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
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